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  • 電路設計,MOS管電容近似計算方法介紹
    • 發布時間:2023-05-30 16:28:32
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    電路設計,MOS管電容近似計算方法介紹
    MOS管
    Cox的理論計算方式
    在電路設計零極點計算中,我們經常需要對MOS管的柵電容進行理論估算,柵電容Cgg=Cox*W*L,W和L我們可以直接從器件參數得到,接下來我們需要知道MOS管的Cox具體值。
    Cox計算方式
    概念:
    (1)介電常數:
    它是表示絕緣能力特性的一個系數,符號為ε,單位為F/m(法/米)
    (2)相對介電常數:
    某種電介質的介電常數ε與真空介電常數ε0的比值,稱為該電介質的相對介電常數,符號為εr,即εr=ε/ε0,εr是無量綱的純數;
    其中真空介電常數ε0=8.854E-12F/m(記?。?,SIO2的相對介電常數為εr=3.9(記住),所以SIO2的介電常數ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m(記住)。
    (3)Cox計算
    Cox是介質的介電常數ε與tox的比值,tox可以在工藝model文件(.scs文件)中找到,以HHG90工藝為例:
    在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m,PCH5的toxp=1.14E-08m,SIO2的介電常數ε=3.9×8.854E-12F/m,
    Coxn=ε/toxn=3fF/um2;
    Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2
    可見PCH5的Cox比NCH5略大,數值幾乎一致,可按照3fF/um2進行電容計算
    比如:W/L=100u:0.65u,m=200的PCH5,柵電容近似計算為:39pF
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