MOS管源極漏極柵極
MOS管是由金屬（Metal）、氧化物（Oxide）和半導(dǎo)體（Semiconductor）三部分組成的。其中，金屬部分被用作柵極（Gate）、氧化物部分被用作絕緣層（Gate Oxide），半導(dǎo)體部分則被用作溝道（Channel）和源漏極（Source/Drain）。
柵極(gate electrode)--gate是門的意思。中文翻譯做柵，柵欄。electrode，電極。
源極(source)--source指資源，電源。中文翻譯為源極。起發(fā)射作用的電極。
漏極(drain)--drain意味排出，泄漏。中文翻譯為漏極。起集電作用的電極。
結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） 廣泛用于電子電路中。結(jié)型場效應(yīng)晶體管是一種可靠且有用的電子元件，可以很容易地用于從放大器到開關(guān)電路的各種電子電路中。
結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）有 3 個端子，分別命名為 Source（源極）、Drain（漏極）、Gate （柵極）
1、源極：是與通道的一端形成連接的終端。通常情況下，源極端子提供多數(shù)電荷載流子，會產(chǎn)生通過結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）的電流。
2、漏極：漏極端子位于源極端子的另一端，大多數(shù)電荷載流子從一端移動到另一端，并在晶體管的漏極端子收集。
3、柵極：此端子由基板上的兩個重度擴散區(qū)域的組合連接形成，控制電流水平的電壓在柵極端子處提供。
通道：這是多數(shù)載流子從源極端子傳遞到漏極端子的區(qū)域。
結(jié)場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）的結(jié)構(gòu)如下所示。由 N 型或 P 型材料制成的實心棒構(gòu)成了設(shè)備的主體。
柵材料沉積物之間的柵條部分的橫截面比柵條的其余部分小，并形成連接源極和漏極的“通道”。
下圖顯示了一個 N 型材料的柵極和一個 P 型材料的柵極。因為溝道中的材料是N型，所以該器件稱為 N 溝道結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）。在 P 溝道 結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）中，溝道由 P 型材料制成，柵極由 N 型材料制成。
結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）可以是 N 溝道器件或 P 溝道器件。它們可以以非常相似的方式制作，主要的例外是結(jié)構(gòu)中的 N 和 P 區(qū)域是互換的。
N 和 P 溝道結(jié)型場效應(yīng)管 （JFET ）之間的唯一實際區(qū)別是柵極材料和溝道之間形成的 PN 結(jié)的偏置。也就是根據(jù)制造時使用的基本半導(dǎo)體材料進(jìn)行分類，或者說，負(fù)責(zé)電流通過設(shè)備的多數(shù)載流子。
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