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    SI2311場效應管參數,SI2311MOS管

    發布時間:2024-12-18 15:28:32
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    產品概述
    SI2311場效應管參數
    烜芯微生產SI2311場效應管,提供SI2311的參數規格書,SI2311中文資料與SI2311場效應管的引腳圖
    SI2311場效應管參數具體如下:
    極性:PNP
    Power Dissipation(w)功耗:1.31W
    Continuous Drain Current ID(A)持續漏極電流:-5A
    Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓:-20V
    Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓:±12V
    Gate Threshold Voltage Vgs(ts)開啟電壓:-0.4~-1.0V
    Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導通電阻ID=-4.1A,VGS=-4.5V:Typ 23mΩ Max 27mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導通電阻ID=-3A,VGS=-2.5V:Typ 28mΩ Max 37mΩ
    Junction and Storage Temperature Range :結和儲存溫度范圍:-55 to 150℃
    SI2311場效應管封裝為:SOT-23
    SI2311
    作用與應用
    SI2311場效應管的核心作用是作為電子開關使用。在電路中,它通過控制柵極電壓來調節漏源路徑上的電流流動,實現對負載的精確控制。SI2311廣泛應用于以下領域:
    電源管理:SI2311可用作低壓降開關,用于電源管理電路中的電池充放電控制、DC-DC變換器等。
    信號放大:在音頻放大器和低頻放大器中,SI2311可以作為信號放大的關鍵部件。
    開關控制:在各種開關電路中,如LED燈控制、電機控制等,SI2311能提供高效的開關控制功能。
    模擬開關:在模擬電路中,SI2311可以作為開關管,用于模擬信號的控制和處理。
    充電管理:在移動設備和電動車等充電管理系統中,SI2311用于充電過程中的電池保護和充電控制。
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