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12V轉(zhuǎn)交流220V逆變器工作原理圖解
2020-07-02
12V轉(zhuǎn)交流220V逆變器工作原理圖解簡(jiǎn)介：今天我們來介紹一款逆變器(見圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效
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氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的驅(qū)動(dòng)器與版圖的考慮因素
2020-07-02
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的驅(qū)動(dòng)器與版圖的考慮因素之前的文章討論了氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢(shì)，以及它具備可實(shí)現(xiàn)更高效率和更快開關(guān)速度的潛力，
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關(guān)于NPN與PNP三極管的簡(jiǎn)單判斷
2020-07-02
關(guān)于NPN與PNP三極管的簡(jiǎn)單判斷對(duì)于NPN或者PNP這個(gè)東西在電路里面經(jīng)常遇到，本文提供一種簡(jiǎn)單的判斷方式。首先認(rèn)識(shí)一下PNP或者NPN，其主要包
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絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管圖解
2020-07-02
絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管圖解本文圖文結(jié)合的解析了絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理增強(qiáng)型：VGS=0時(shí)，漏源之間沒有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下無iD。耗盡型：
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IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理與檢測(cè)方法
2020-07-01
IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理與檢測(cè)方法IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾個(gè)使用知識(shí)
2020-07-01
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾個(gè)使用知識(shí)我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)
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場(chǎng)效應(yīng)管的基本應(yīng)用-共源極放大器知識(shí)
2020-07-01
場(chǎng)效應(yīng)管的基本應(yīng)用-共源極放大器知識(shí)1)靜態(tài)工作點(diǎn)的測(cè)試上圖為場(chǎng)效應(yīng)管共源極放大器實(shí)驗(yàn)電路圖。該電路采用的自給偏壓的方式為放大器建立
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淺談LLC變壓器設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)
2020-07-01
淺談LLC變壓器設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)適用于LLC變壓器，其特征在于，包括：第一MOS開關(guān)管、第二MOS開關(guān)管、第一電容、電感和至少兩個(gè)變壓器;所述變壓器的
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用超級(jí)結(jié)MOSFET時(shí)柵極會(huì)振蕩-怎么解決
2020-07-01
用超級(jí)結(jié)MOSFET時(shí)柵極會(huì)振蕩-怎么解決因?yàn)镸OSFET是單極性器件，因此寄生電容是開關(guān)瞬態(tài)唯一的限制因素。電荷平衡原理降低了特定面積的導(dǎo)通
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CMOS集成電路電阻的應(yīng)用解析
2020-07-01
CMOS集成電路電阻的應(yīng)用解析目前，在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中，要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻，
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怎么選擇MOSFET-電機(jī)控制
2020-07-01
怎么選擇MOSFET-電機(jī)控制本文主要討論特定終端應(yīng)用需要考慮的具體注意事項(xiàng)，首先從終端應(yīng)用中將用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的FET著手。電機(jī)控制是30V-100V
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一種簡(jiǎn)單的MOSFET自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)圖
2020-06-30
一種簡(jiǎn)單的MOSFET自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)圖功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中，利用